４月１７日電（沈從樂、羅爭光）記者１７日從中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器（ＰＣＲＡＭ）芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。
據(jù)專家介紹，相比于傳統(tǒng)存儲器利用電荷形式進(jìn)行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實(shí)現(xiàn)存儲，被稱為是“操縱原子排列而實(shí)現(xiàn)存儲”的新型存儲器。
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、ＰＣＲＡＭ研究項(xiàng)目負(fù)責(zé)人宋志棠表示，ＰＣＲＡＭ相變存儲器不僅綜合了目前半導(dǎo)體存儲器市場上主流的ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ和ＦＬＡＳＨ等存儲器的優(yōu)良特性，而且還具有微縮性能優(yōu)越、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性強(qiáng)、功耗低等諸多優(yōu)勢，被認(rèn)為是下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。
目前，英特爾、美光、三星等國際知名半導(dǎo)體公司均在ＰＣＲＡＭ產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中取得有效進(jìn)展，其中美光有多款替代ＮＯＲ ＦＬＡＳＨ的產(chǎn)品，三星已研制出最大容量為５１２Ｍｂ的ＰＣＲＡＭ試驗(yàn)芯片，并投入量產(chǎn)，在手機(jī)存儲卡中開始應(yīng)用。
上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所已制成的ＰＣＲＡＭ試驗(yàn)芯片存儲容量為８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一塊存儲芯片，存儲單元成品率達(dá)９９％以上。經(jīng)語音演示，已證實(shí)該芯片可實(shí)現(xiàn)讀、寫、擦的存儲器全部功能。截至２０１０年底，該款ＰＣＲＡＭ相變存儲器已經(jīng)獲得５０多項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，１５０多項(xiàng)專利公開，相關(guān)專利分布涵蓋從材料、結(jié)構(gòu)工藝、設(shè)計(jì)到測試的芯片生產(chǎn)全部流程。專家表示，此款ＰＣＲＡＭ芯片將可取代ＮＯＲ ＦＬＡＳＨ等傳統(tǒng)存儲器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)存儲、射頻識別等多種消費(fèi)型電子產(chǎn)品中。
宋志棠介紹說，我國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模目前已接近１８００億元，但由于長期缺乏具有自主知識產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù)，國內(nèi)存儲器生產(chǎn)成本極為高昂。“ＰＣＲＡＭ相變存儲器自主研制成功，使我國的存儲器芯片生產(chǎn)真正擺脫國外的技術(shù)壟斷。”他表示，該款ＰＣＲＡＭ相變存儲器預(yù)計(jì)將于今年年內(nèi)投入量產(chǎn)，“我們計(jì)劃在１０年內(nèi)，將中國的存儲器自給率提高到６０％。”
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